功率MOS管_30V-800V耐压MOS管_N沟道_P沟道_场效应管

振邦微低中高压沟槽场效应管，具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点。

  振邦微沟槽式金属氧化物场效应管，通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局，实现更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度，从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。结合最先过的技术，可实现更高的输出功率和可靠性，拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。

振邦微全力供应[NPMOS】低内阻NMOS+PMOS Features VDS = -30V,ID= -6.25A RDS (ON) @VGS= -10V, TYP 28mΩ RDS (ON) @VGS= -4.5V, TYP 36mΩN-Channel P-Channel VDS = 30V, VDS = -30V,ID= 7A ID= -6ARDS(ON) @VGS= 10V, TYP 22mΩ RDS(ON)@VGS= 10V, TYP 32mΩ RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 35mΩ RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 42mΩ 大电流MOS 30V 40V 60V 80V 100V 150V 200V-800V耐压NPMOS 电动车控制、电子烟产品专供、无线充专用