AHD4903 N+PMOS TO252-4 (N参数是40V 23A，P参数是-40V -20A）低内阻
AH60P18D PMOS TO252 (参数是-60V -65A）低内阻
电源芯片里一定会用到不同参数的MOS，MOS中有分NMOS PMOS N+PMOS
双NMOS 和单NMOS,比如:一颗外挂MOS的芯片AH1101 12V升24V 1A
选用一颗60V 4A以上的NMOS即可 AH1101+AH460)
MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
客服1